GQM系列（X8G特性）  高Q電容保證在150℃用于DC切割和匹配 。一種電容器，可在PA電路附近和高溫環(huán)境中的溫度超過125℃時使用。

電路板和部件的發(fā)熱可以提高基站PA的溫度。特別地，放大器晶體管的發(fā)熱可以增加，并且附近定位的DC切割和匹配電容器可以加熱。另外，當接收放大的電時，電容器本身的發(fā)熱會增加。

常規(guī)措施及其局限性

用于直流切割和匹配的大多數(shù)高Q電容在工作溫度范圍內(nèi)的上限為125℃。通過有效利用保證在125℃的電容器，通過散熱器設計散熱來降低環(huán)境溫度，并通過設計使用直流截止電容器來控制電容器的發(fā)熱，解決了這個問題。

隨著最近提供多個輸出（增加的Tx）的趨勢，部件的數(shù)量增加，并且隨著基站的尺寸減小，用于散熱器以散熱的空間較小。另外，隨著使用頻帶變高，部件的發(fā)熱增加，并且電路設計在控制電容器的發(fā)熱和環(huán)境溫度最大為125℃方面達到極限。

村田制作所提供一系列高Q電容，包括傳統(tǒng)的125℃保證電容（C0G特性）和150℃保證電容（X8G特性）。這減少了對DC切割和匹配電容器的環(huán)境溫度的限制，從而提高了設計自由度。